Вчені з університету Фудань у Китаї встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і набагато швидшим за інші сучасні технології, такі як SRAM і DRAM. Використовуючи алгоритми штучного інтелекту, вчені значно прискорили розвиток цієї технології. У даний момент команда вчених працює над тим, як перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати їх дослідження були опубліковані в журналі Nature.
